SAE J1752-3 是 SAE 制定的集成电路电磁辐射发射测量方法系列标准中的第 3 部分。该系列针对集成电路在开关工作时产生的电磁辐射，规定在受控条件下开展测量的方法与试验装置，涵盖测试板与负载设计、探头与测量接收设备要求、测量频段以及数据处理与结果表述等内容，其中不同部分分别采用横电磁波小室、表面扫描与磁场探头等不同的测量手段。器件级辐射发射测量有助于在产品设计早期识别电磁辐射源头、缩短整机整改周期，适用于汽车电子等领域中集成电路的辐射发射评价与器件选型对比。